Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
HynixTamaño de la Memoria
4Gbit
Tipo de Interfaz
Serial
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
512M x 8 bit
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Largo
18.5mm
Altura
1.03mm
Anchura
12.12mm
Dimensiones
18.5 x 12.12 x 1.03mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25000ns
Número de palabras
512M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
0 ºC
Número de Bits de Palabra
8bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+70 °C
País de Origen
Korea, Republic Of
P.O.A.
1
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Volver a intentar más tarde
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Especificaciones
Brand
HynixTamaño de la Memoria
4Gbit
Tipo de Interfaz
Serial
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
512M x 8 bit
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Largo
18.5mm
Altura
1.03mm
Anchura
12.12mm
Dimensiones
18.5 x 12.12 x 1.03mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25000ns
Número de palabras
512M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
0 ºC
Número de Bits de Palabra
8bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+70 °C
País de Origen
Korea, Republic Of


