Fotodiodo de silicio Hamamatsu, IR, λ sensibilidad máx. 960nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Hamamatsu PhotonicsEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
960nm
Encapsulado
TO-18
Tipo de montaje
Through Hole
Número de Pines
3
Material del Diodo
Si
País de Origen
Japan
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P.O.A.
Each (In a Tube of 5) (Sin IVA)
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5
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