Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VBA-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, P 626, 24-Pines, 20kHz Trifásico
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuration
Trifásico
Tipo de Encapsulado
P 626
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
24
Velocidad de Conmutación
20kHz
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiones del Cuerpo
87 x 50.2 x 12mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+110 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-20 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
IGBT IPM (módulo de alimentación inteligente), serie V, Fuji Electric
La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, cortocircuito, caída de tensión de potencia de control y recalentamiento e incluyen señales de alarma de salida.
6MBP... Sin frenado externo
7MBP... Con frenado externo
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
20
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Disipación de Potencia Máxima
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Configuration
Trifásico
Tipo de Encapsulado
P 626
Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
24
Velocidad de Conmutación
20kHz
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiones del Cuerpo
87 x 50.2 x 12mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+110 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-20 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
IGBT IPM (módulo de alimentación inteligente), serie V, Fuji Electric
La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, cortocircuito, caída de tensión de potencia de control y recalentamiento e incluyen señales de alarma de salida.
6MBP... Sin frenado externo
7MBP... Con frenado externo
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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