Módulo IGBT, 1MBI200U4H-120L-50, N-Canal, 200 A, 1.200 V, M259, 7-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
1040 W
Tipo de Encapsulado
M259
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
108 x 62 x 30mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Tipo de Encapsulado
M259
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
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7
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Single
Dimensiones del Cuerpo
108 x 62 x 30mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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