Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-2mA
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Altura
16.51mm
Ancho
4.83mm
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Tipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-2mA
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Altura
16.51mm
Ancho
4.83mm
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm