IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Corriente Máxima Continua del Colector
21 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±14V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
$ 19.670
$ 3.934 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 23.407
$ 4.681,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 3.934 | $ 19.670 |
| 10 - 95 | $ 3.169 | $ 15.845 |
| 100 - 495 | $ 2.602 | $ 13.010 |
| 500 - 995 | $ 2.192 | $ 10.960 |
| 1000+ | $ 1.931 | $ 9.655 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Corriente Máxima Continua del Colector
21 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±14V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

