IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 862-9359Marca: Fairchild SemiconductorNúmero de parte de fabricante: ISL9V3040P3
brand-logo
Ver todo en IGBTs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

21 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

450 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±14V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

10.67 x 4.7 x 16.3mm

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

$ 19.670

$ 3.934 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 23.407

$ 4.681,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

$ 19.670

$ 3.934 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 23.407

$ 4.681,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Volver a intentar más tarde

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 3.934$ 19.670
10 - 95$ 3.169$ 15.845
100 - 495$ 2.602$ 13.010
500 - 995$ 2.192$ 10.960
1000+$ 1.931$ 9.655

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

21 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

450 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±14V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

10.67 x 4.7 x 16.3mm

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más