MOSFET Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0, VDSS 60 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 671-4774Marca: Fairchild SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FDP038AN06A0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

96 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Series

PowerTrench

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.65mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

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TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

96 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Series

PowerTrench

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.65mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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