Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Ancho
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Tipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Ancho
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW