MOSFET DiodesZetex ZXMS6006DGTA, VDSS 70 V, ID 2,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET DiodesZetex ZXMS6006DGTA, VDSS 70 V, ID 2,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Brand: DiodesZetex
SKU: 9228216

Código de producto RS: 922-8216Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: ZXMS6006DGTA

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

70 V

Series

IntelliFET

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

Largo

6.55mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Número de Elementos por Chip

Profundidad

3.55mm

Material del transistor

Altura

1.65mm

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

País de Origen

Germany

Datos del producto

MOSFET autoprotegidos IntelliFET, Diodes Inc

Los IntelliFET son MOSFET autoprotegidos que integran una serie completa de circuitos de protección contra ESD (dispositivo de sensibilidad electroestática), sobrecorriente, sobretensión y sobretemperatura.

Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
La protección contra sobretensión (abrazadera activa)
Protección contra sobrecorriente
La protección de entrada (ESD)
Corriente nominal continua alta
Protección de vuelco de carga
Entrada de nivel lógico

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

MOSFET DiodesZetex ZXMS6006DGTA, VDSS 70 V, ID 2,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

1000

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

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DiodesZetex

Tipo de Canal

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

70 V

Series

IntelliFET

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

Largo

6.55mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Número de Elementos por Chip

Profundidad

3.55mm

Material del transistor

Altura

1.65mm

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

País de Origen

Germany

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