MOSFET DiodesZetex ZXMS6005DGTA, VDSS 70 V, ID 2 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple

Name: MOSFET DiodesZetex ZXMS6005DGTA, VDSS 70 V, ID 2 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple
Brand: DiodesZetex
SKU: 7385204P

Código de producto RS: 738-5204PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: ZXMS6005DGTA

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

70 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Series

IntelliFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

3000 mW

Transistor Configuration

Single

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Longitud:

6.55mm

Profundidad

3.55mm

Material del transistor

Número de Elementos por Chip

Altura

1.65mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

País de Origen

Germany

Datos del producto

MOSFET autoprotegidos IntelliFET, Diodes Inc

Los IntelliFET son MOSFET autoprotegidos que integran una serie completa de circuitos de protección contra ESD (dispositivo de sensibilidad electroestática), sobrecorriente, sobretensión y sobretemperatura.

Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
La protección contra sobretensión (abrazadera activa)
Protección contra sobrecorriente
La protección de entrada (ESD)
Corriente nominal continua alta
Protección de vuelco de carga
Entrada de nivel lógico

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

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Empaque de Producción (Rollo)

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DiodesZetex

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Maximum Continuous Drain Current

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

70 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Series

IntelliFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

3000 mW

Transistor Configuration

Single

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Longitud:

6.55mm

Profundidad

3.55mm

Material del transistor

Número de Elementos por Chip

Altura

1.65mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

País de Origen

Germany

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