MOSFET DiodesZetex ZXMS6004DT8TA, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SM de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 738-5200PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: ZXMS6004DT8TA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Series

IntelliFET

Tipo de Encapsulado

SM

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2,13 W

Transistor Configuration

Isolated

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Longitud

4.95mm

Profundidad

3.95mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Altura

1.5mm

País de Origen

Germany

Datos del producto

MOSFET autoprotegidos IntelliFET, Diodes Inc

Los IntelliFET son MOSFET autoprotegidos que integran una serie completa de circuitos de protección contra ESD (dispositivo de sensibilidad electroestática), sobrecorriente, sobretensión y sobretemperatura.

Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
La protección contra sobretensión (abrazadera activa)
Protección contra sobrecorriente
La protección de entrada (ESD)
Corriente nominal continua alta
Protección de vuelco de carga
Entrada de nivel lógico

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

MOSFET DiodesZetex ZXMS6004DT8TA, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SM de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

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50P.O.A.
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N

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SM

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

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Mejora

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1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2,13 W

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2

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Longitud

4.95mm

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Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Altura

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MOSFET autoprotegidos IntelliFET, Diodes Inc

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