MOSFET DiodesZetex ZXMS6004DT8TA, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SM de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
IntelliFET
Tipo de Encapsulado
SM
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.13 W
Configuración de transistor
Isolated
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.95mm
Largo
4.95mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET autoprotegidos IntelliFET, Diodes Inc
Los IntelliFET son MOSFET autoprotegidos que integran una serie completa de circuitos de protección contra ESD (dispositivo de sensibilidad electroestática), sobrecorriente, sobretensión y sobretemperatura.
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
La protección contra sobretensión (abrazadera activa)
Protección contra sobrecorriente
La protección de entrada (ESD)
Corriente nominal continua alta
Protección de vuelco de carga
Entrada de nivel lógico
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 617.000
$ 617 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 734.230
$ 734,23 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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N
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Tipo de Encapsulado
SM
Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.13 W
Configuración de transistor
Isolated
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.95mm
Largo
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Altura
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MOSFET autoprotegidos IntelliFET, Diodes Inc
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Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
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