MOSFET DiodesZetex ZXMN6A11ZTA, VDSS 60 V, ID 3.6 A, SOT-89 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 708-2450Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: ZXMN6A11ZTA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

2.6mm

Material del transistor

Si

Longitud

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,7 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.6mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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$ 1.080

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.285,20

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 10.800
20$ 21.600
30$ 32.400
40$ 43.200
50$ 48.200
60$ 57.840
70$ 67.480
80$ 77.120
90$ 86.760
100$ 96.400
110$ 106.040
120$ 115.680
130$ 125.320
140$ 134.960
150$ 144.600

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70$ 67.480
80$ 77.120
90$ 86.760
100$ 96.400
110$ 106.040
120$ 115.680
130$ 125.320
140$ 134.960
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 1.080$ 10.800
50 - 240$ 964$ 9.640
250 - 490$ 942$ 9.420
500+$ 918$ 9.180

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N

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3.6 A

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

2.6mm

Material del transistor

Si

Longitud

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,7 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

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