Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
160 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
180 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.00001mA
Altura
4.01mm
Ancho
2.41mm
Dimensiones del Cuerpo
4.77 x 2.41 x 4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Longitud
4.77mm
Datos del producto
Transistores Darlington, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
160 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
180 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.00001mA
Altura
4.01mm
Ancho
2.41mm
Dimensiones del Cuerpo
4.77 x 2.41 x 4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Longitud
4.77mm
Datos del producto