Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
67 nC @ 10V
Altura
2.26mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
67 nC @ 10V
Altura
2.26mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China