Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 4.175
$ 167 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 4.968
$ 198,73 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
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P
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6 A
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Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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