Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
DMP
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 887
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 1.055,53
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
$ 887
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$ 1.055,53
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 887 | $ 8.870 |
100 - 490 | $ 535 | $ 5.350 |
500 - 990 | $ 482 | $ 4.820 |
1000 - 1990 | $ 427 | $ 4.270 |
2000+ | $ 415 | $ 4.150 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
DMP
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto