Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Anchura
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Anchura
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


