Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 124
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 147,56
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 124
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 147,56
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China