Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
9.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
2.03 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28,4 nC a 5 V
Ancho
2.05mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.58mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
25
P.O.A.
25
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
9.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
2.03 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28,4 nC a 5 V
Ancho
2.05mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.58mm
País de Origen
China
Datos del producto