Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,87 nC a 10 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
100
P.O.A.
100
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,87 nC a 10 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto