MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 822-2602Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN65D8LDW-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,87 nC a 10 V

Profundidad

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,87 nC a 10 V

Profundidad

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Si

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