MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 822-2602PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN65D8LDW-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

1.35mm

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,87 nC a 10 V

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET DiodesZetex DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

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N

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SOT-363

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

1.35mm

Material del transistor

Si

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+150 ºC

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2.2mm

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0,87 nC a 10 V

Altura

1mm

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