Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,87 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
200
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,87 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto