Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
407 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1006
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1.07mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Ancho
0.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.48mm
País de Origen
China
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$ 45
Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
$ 53,55
Each (On a Reel of 10000) (IVA Incluido)
10000
$ 45
Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
$ 53,55
Each (On a Reel of 10000) (IVA Incluido)
10000
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
407 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1006
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1.07mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Ancho
0.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.48mm
País de Origen
China