MOSFET DiodesZetex DMN6068LK3-13, VDSS 60 V, ID 8,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
8.49 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,3 nC a 10 V
Anchura
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
25
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
8.49 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,3 nC a 10 V
Anchura
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
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