MOSFET DiodesZetex DMN53D0U-7, VDSS 50 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
520 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Longitud
3mm
Altura
1mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 70
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 83,30
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
520 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Longitud
3mm
Altura
1mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura Mínima de Operación
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