MOSFET DiodesZetex DMN3025LFDF-7, VDSS 30 V, ID 9,9 A, U-DFN2020 de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
2.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,2 nC a 15 V
Altura
0.58mm
Serie
DMN3025LFDF
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
2.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,2 nC a 15 V
Altura
0.58mm
Serie
DMN3025LFDF
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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