MOSFET DiodesZetex DMN3016LDV-7, VDSS 30 V, ID 21 A, PDI3333 de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
21,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC a 15 V
Altura
0.8mm
Serie
DMN3016LDV
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
20
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N
Maximum Continuous Drain Current
21,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC a 15 V
Altura
0.8mm
Serie
DMN3016LDV
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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