MOSFET DiodesZetex DMN2450UFB4-7R, VDSS 20 V, ID 1 A, X2-DFN1006 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
1.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 10 V
Altura
0.35mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 41
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 48,79
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 41 | $ 123.000 |
| 9000 - 12000 | $ 39 | $ 117.000 |
| 15000+ | $ 39 | $ 117.000 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
1.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 10 V
Altura
0.35mm
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-55 °C
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