MOSFET DiodesZetex DMN2075U-7, VDSS 20 V, ID 4,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 751-4143PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN2075U-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

800 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 4,5 V

Anchura

1.4mm

Material del transistor

Si

Longitud

3mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET DiodesZetex DMN2075U-7, VDSS 20 V, ID 4,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

800 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Anchura

1.4mm

Material del transistor

Si

Longitud

3mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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