Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 4,5 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 2.350
$ 47 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 2.796
$ 55,93 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
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Volver a intentar más tarde
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Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 4,5 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto


