Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 199
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 236,81
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
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$ 236,81
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto