MOSFET DiodesZetex DMN2056U-7, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-3376Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN2056U-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Serie

DMN2056U

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

85 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

940 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,3 nC a 10 V

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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$ 387

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 460,53

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

MOSFET DiodesZetex DMN2056U-7, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 19.350
100$ 38.700
150$ 58.050
200$ 77.400
250$ 96.750
300$ 116.100
350$ 135.450
400$ 154.800
450$ 174.150
500$ 87.000
550$ 95.700
600$ 104.400
650$ 113.100
700$ 121.800
750$ 130.500

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350$ 135.450
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450$ 174.150
500$ 87.000
550$ 95.700
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
50 - 450$ 387$ 19.350
500 - 950$ 174$ 8.700
1000 - 1950$ 134$ 6.700
2000 - 2950$ 129$ 6.450
3000+$ 115$ 5.750

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Serie

DMN2056U

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

85 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

940 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,3 nC a 10 V

Altura

1mm

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