Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.31 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25,2 nC a 10 V
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.77V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 320
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 380,80
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
$ 320
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 380,80
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.31 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25,2 nC a 10 V
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.77V
País de Origen
China
Datos del producto