MOSFET DiodesZetex DMN1019USN-7, VDSS 12 V, ID 11 A, SOT-346 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 921-1032Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN1019USN-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

SOT-346

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.35V

Disipación de Potencia Máxima

1.2 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

50,6 nC a 8 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.3mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
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SOT-346

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.35V

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1.2 W

Configuración de transistor

Single

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±8 V

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

3.1mm

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Altura

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