MOSFET DiodesZetex DMG7430LFG-7, VDSS 30 V, ID 10,5 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26,7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.85mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 4.325
$ 173 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 5.147
$ 205,87 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
25
$ 4.325
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 25 - 100 | $ 173 | $ 4.325 |
| 125 - 600 | $ 99 | $ 2.475 |
| 625 - 1975 | $ 98 | $ 2.450 |
| 2000 - 3975 | $ 90 | $ 2.250 |
| 4000+ | $ 88 | $ 2.200 |
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N
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Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.35mm
Material del transistor
Si
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1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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