MOSFET DiodesZetex DMG4800LSD-13, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 751-4109PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMG4800LSD-13
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,56 nC a 5 V

Profundidad

3.95mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Largo

4.95mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET DiodesZetex DMG4800LSD-13, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

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25

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50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
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250P.O.A.
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N

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Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 W

Configuración de transistor

Isolated

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-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,56 nC a 5 V

Profundidad

3.95mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Largo

4.95mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Operación

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