MOSFET DiodesZetex DMG3415U-7-57, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
71 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,1 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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$ 321.000
$ 107 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 381.990
$ 127,33 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 107 | $ 321.000 |
| 9000 - 12000 | $ 104 | $ 312.000 |
| 15000+ | $ 101 | $ 303.000 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
71 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,1 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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