MOSFET DiodesZetex DMG2302UK-7, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Serie
DMG2302UK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,8 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 187
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 222,53
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 100 - 400 | $ 187 | $ 18.700 |
| 500 - 900 | $ 159 | $ 15.900 |
| 1000 - 1900 | $ 142 | $ 14.200 |
| 2000 - 2900 | $ 127 | $ 12.700 |
| 3000+ | $ 115 | $ 11.500 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Serie
DMG2302UK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,8 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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