MOSFET DiodesZetex DMG1016V-7, VDSS 20 V, ID 640 mA, 870 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
640 mA, 870 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω, 700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
530 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Ancho
1.25mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,62 nC a 4,5 V, 0,74 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
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N, P
Maximum Continuous Drain Current
640 mA, 870 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω, 700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
530 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Ancho
1.25mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,62 nC a 4,5 V, 0,74 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.6mm
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China
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MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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