MOSFET DiodesZetex DMG1013T-7, VDSS 20 V, ID 460 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,58 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Profundidad
0.85mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 172
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 204,68
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 100 - 500 | $ 172 | $ 17.200 |
| 600 - 1400 | $ 134 | $ 13.400 |
| 1500+ | $ 108 | $ 10.800 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,58 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Profundidad
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Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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