MOSFET DiodesZetex BSS84DW-7-F, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 708-2484Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: BSS84DW-7-F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Ancho

1.35mm

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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P

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SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Ancho

1.35mm

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2

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Si

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