MOSFET DiodesZetex BSS123-7-F, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 316
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 376,04
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 100 - 400 | $ 316 | $ 31.600 |
| 500 - 900 | $ 194 | $ 19.400 |
| 1000 - 2400 | $ 188 | $ 18.800 |
| 2500 - 4900 | $ 177 | $ 17.700 |
| 5000+ | $ 167 | $ 16.700 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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