Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 37
Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
$ 44,03
Each (On a Reel of 10000) (IVA Incluido)
10000
$ 37
Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
$ 44,03
Each (On a Reel of 10000) (IVA Incluido)
10000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto