Diodo, B540C-13-F, Rectificador Schottky, 5A, 40V Barrera Schottky, DO-214AB (SMC), 2-Pines 550mV

Código de producto RS: 922-8128Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: B540C-13-F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DO-214AB (SMC)

Corriente Continua Máxima Directa

5A

Tensión Repetitiva Inversa de Pico

40V

Configuración de diodo

Single

Tipo de rectificador

Rectificador Schottky

Tipo de Diodo

Schottky

Conteo de Pines

2

Caída de tensión directa máxima

550mV

Número de Elementos por Chip

1

Tecnología de diodo

Barrera Schottky

Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico

100A

Datos del producto

Diodos de barrera Schottky, 2 A a 9 A, Diodes Inc

Los super diodos rectificadores de barrera (SBR) son la última generación en rectificadores. Este dispositivo de dos terminales tiene una menor tensión directa (VF) que los diodos Schottky equivalentes, al tiempo que reúne las características de estabilidad térmica y alta fiabilidad propias de los diodos PN epitaxiales.

Diodes and Rectifiers, Diodes Inc

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P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

Diodo, B540C-13-F, Rectificador Schottky, 5A, 40V Barrera Schottky, DO-214AB (SMC), 2-Pines 550mV

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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Single

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Rectificador Schottky

Tipo de Diodo

Schottky

Conteo de Pines

2

Caída de tensión directa máxima

550mV

Número de Elementos por Chip

1

Tecnología de diodo

Barrera Schottky

Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico

100A

Datos del producto

Diodos de barrera Schottky, 2 A a 9 A, Diodes Inc

Los super diodos rectificadores de barrera (SBR) son la última generación en rectificadores. Este dispositivo de dos terminales tiene una menor tensión directa (VF) que los diodos Schottky equivalentes, al tiempo que reúne las características de estabilidad térmica y alta fiabilidad propias de los diodos PN epitaxiales.

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