MOSFET DiodesZetex 2N7002-7-F, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 42
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 49,98
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 42 | $ 126.000 |
| 6000 - 12000 | $ 42 | $ 126.000 |
| 15000 - 27000 | $ 39 | $ 117.000 |
| 30000+ | $ 37 | $ 111.000 |
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
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-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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China
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