Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Gbit, 2048k x 64 bits, BGA-63, VCC máx. 3.6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Gbit
Organización
2048k x 64 bits
Número de Palabras
2048k
Número de Bits de Palabra
64bit
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
FTO-220A
Conteo de Pines
63
Dimensiones del Cuerpo
11 x 9 x 1mm
Altura
1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
9mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Longitud
11mm
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P.O.A.
210
P.O.A.
210
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Gbit
Organización
2048k x 64 bits
Número de Palabras
2048k
Número de Bits de Palabra
64bit
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
FTO-220A
Conteo de Pines
63
Dimensiones del Cuerpo
11 x 9 x 1mm
Altura
1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
9mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Longitud
11mm