Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL256P90TFIR10 256Mbit, 16M x 16 bits, 90ns, TSOP, 56 pines

Código de producto RS: 125-5822Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: S29GL256P90TFIR10
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

256Mbit

Tipo de Interfaz

CFI, Paralelo

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

56

Organización

16M x 16 bits

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3.0 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Longitud:

18.5mm

Altura

1.05mm

Profundidad

14.1mm

Dimensiones del Cuerpo

18.5 x 14.1 x 1.05mm

Número de Bits de Palabra

16bit

Número de Palabras

16M

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

90ns

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Datos del producto

Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

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Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL256P90TFIR10 256Mbit, 16M x 16 bits, 90ns, TSOP, 56 pines
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56

Organización

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Tipo de montaje

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Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3.0 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Longitud:

18.5mm

Altura

1.05mm

Profundidad

14.1mm

Dimensiones del Cuerpo

18.5 x 14.1 x 1.05mm

Número de Bits de Palabra

16bit

Número de Palabras

16M

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

90ns

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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